MEMORIAS DE PRÓXIMA GENERACIÓN: EL PODER DE LOS ÓXIDOS

Conteúdo do artigo principal

María J. Sánchez

Resumo

La tecnología de la información se sustenta en la posibilidad de contar con dispositivos de memoria con gran capacidad de almacenamiento de datos, costos moderados y bajos consumos de energía. Un requisito adicional para ciertas aplicaciones es que sean no volátiles, es decir, que retengan la información almacenada una vez desconectados del suministro eléctrico. La electrónica móvil impone como desafío disponer de memorias con mayor capacidad de almacenamiento, más rápidas y, fundamentalmente, más pequeñas que las empleadas actualmente. Aquí describimos una alternativa posible.

Downloads

Não há dados estatísticos.

Detalhes do artigo

Como Citar
Sánchez, M. J. (2022). MEMORIAS DE PRÓXIMA GENERACIÓN: EL PODER DE LOS ÓXIDOS. Desde La Patagonia. Difundiendo Saberes, 8(12), 22–27. Recuperado de http://170.210.83.53/index.php/desdelapatagonia/article/view/4029
Seção
ARTÍCULO.
Biografia do Autor

María J. Sánchez

Dra. en Física, Universidad de Buenos Aires, Argentina. Cjo. Nac. de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET), Argentina - Centro Atómico Bariloche (CAB) e Instituto Balseiro (IB), Argentina.

Referências

Waser, R. y Aono, M. (2007). Nanoionics-based resistive switching memories. Nature Materials, 6, pp. 833-840.

Sawa, A. (2008). Resistive Switching in Transition metal oxides. Materials Today, 11(6), pp. 28-36

Rozenberg, M.J., Inoue, I.H. y Sánchez, M.J. (2004). Nonvoltatile memory with multilevel switching: a basic model. Physical Review Letters , 92, pp. 178.302- 178.305.

Rozenberg, M.J., Sánchez, M.J., Weht, R., Acha, C., Gómez-Marlasca, F. y Levy, P. (2010). Mechanisms of bipolar resistive switching in transition-metal oxides. Physical Review B, 81, pp. 115.101-115.105.

Ignatiev, A., Wu, N.J., Chen, X., Nian,Y. B., Papagianni, C., Liu, S.Q. y Strozier, J. (2008). Resistance switching in Oxide thin films.Phase Transitions, 81, pp. 791-799.

Strukov, D.B., Snider, G.S., Stewart, D.R. y Williams, R. S. (2008). The missing memristor found.Nature, 453, pp.80-83.